Мой сайт
Главная | Регистрация | Вход
Суббота
19.08.2017
19:43
Приветствую Вас Гость | RSS
Главная » 2009 » Октябрь » 28 » Intel разработала технологию производства многослойных чипов памяти формата PCM
23:49
Intel разработала технологию производства многослойных чипов памяти формата PCM
Intel и ее дочерняя компания Numonyx сообщили о значительном достижении в создании Phase Change Memory (PCM) – нового типа энергонезависимой памяти с возможностью создания многослойных массивов на одном кристалле. В рамках совместных исследовательских работ компании смогли разработать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, получив возможность производить вертикально интегрированные ячейки PCM(S).

Каждая включает два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Ячейки фазовой памяти создаются путем соединения элемента хранения данных и переключающего элемента. Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно, но ранее использовалось сразу несколько типов переключающих элементов, что приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности. Инженеры Intel и Numonyx смогли использовать тонкопленочный двухтерминальный OTS в качестве переключающего элемента. Он соответствует физическим и электрическим свойствам PCM, открывая возможность масштабирования. Благодаря данному нововведению стало возможным создание многослойной памяти.


Intel и Numonyx соединяют ячейки памяти с CMOS-структурами, которые обеспечивают логические функции и преобразование сигналов. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 нс, и сама память не теряет свойств даже в после 1 млн. циклов перезаписи.

Более подробную информацию компании намерены представить в совместном докладе представленном на  International Electron Devices Meeting 2009 в Балтиморе (Мэриленд) 9 декабря.



Просмотров: 345 | Добавил: PoliteX | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Поиск
Архив записей
Donation Bar
Пузомерки
Rambler's Top100
Теги
Сибирьтелеком Федеральная антимонопольная служба Штраф кредит Мобильные ТелеСистемы Сбербанк Mozilla NEC Nvidia Activision Blizzard microsoft Windows Mobile 7 Intel McAfee google facebook Acer ASUS Garmin M10 Amazon.com Cisco Международный Олимпийский Комитет International Solid State Circuits IBM Seagate сотовый оператор Windows Phones 7 Лаборатория Касперского Samsung Electronics Oracle ботнет Chuck Norris VMware Google Street View Twitter МТС nokia Apple CeBIT Земля Компания Ford Energizer IDC Углеродные нанотрубки Sony Playstation Move Barclays Bank врачи разное Panasonic PAYPAL Sony Ericsson Китай Huawei Technologies Red Hat Enterprise Linux 5.5 лазер Союз ТМА-18 Tiffany Ubuntu 10.10 Maverick Meerkat European Extremely Large Telescope samsung астрономия космос HP
PoliteX © 2017
Бесплатный конструктор сайтов - uCoz